اگر سیلیکُن فشرده شود، روی حرکت الکترون‌ها در این ماده تأثیر می‌گذارد. این می‌تواند مانعی باشد برای شار الکتریکی. آن را با یک شلنگ مقایسه کنید. وقتی روی آن می‌ایستید آب کمتری بیرون می‌آید. ولی وقتی به شکل عجیبی وقتی چنین اتفاقی برای سیلیکُن می‌افتد و فشرده می‌شود، شار الکترون‌ها در آن افزایش می‌یابد.
در میکروتراشه‌های جدید هر ترانزیستور منفرد به طور پیوسته فشار عظیمی حدود ۱۰ هزار اتمسفر تجربه می‌کند. این فشار در حین فرایند ساختن ترانزیستور توسط محیط ترانزیستور به ماده‌ی فشرده، تولید می‌شود. وقتی این تغییرات در تراشه سرعت پیدا می‌کند، جریان هم افزایش می‌یابد. استفاده از ماده‌ی پزیوالکتریک در این میان برای این است که ترانزیستورها فقط تحت فشار (در صورت لزوم) در ماده تعبیه می‌شوند. همین می‌تواند میزان ذخیره‌ی انرژی را به طرز چشمگیری افزایش دهد.
این مفهوم اولین بار توسط ری هیوتینگ مورد استفاده قرار گرفت. ولی در آزمایش اولین بار تام فَن هِمرت برای پیدا کردن ارتباط نظریه‌های ارتباط دهنده‌ی ناهنجاری مکانیکی با مکانیک کوانتمی مورد استفاده قرار گرفت که رفتار الکتریکی ترانزیستورها را توصیف می‌کرد. در حد نظری کلاسیک، بازی حداقل با ۹۰ میلی-ولت برای ترانزیستوری با رسانایی ۱۰ برابر بیشتر لازم است. ترانزیستور پیزوالکتریک فقط ۵۰ میلی-ولت انرژی می‌گیرد.
منبع: