پیش از این، گرافن به دلیل رسانندگی استثنایی مورد ستایش قرار گرفته و اکنون نانونوار گرافن می خواهد مس را در نانوالکترونیک موفق گرداند. دلیل این رسانندگی استثنایی هنوز روشن نیست، اما این نانونوار فرآوری شده می تواند سیم کشی لازم را برای نانوالکترونیک مبتنی بر گرافن فراهم کند.

والت دی هیر (Walt de Heer) سرپرست این گروه تحقیقاتی در موسسه فناوری جورجیا آمریکا (Georgia Institute of Technology, US) می گوید: « ما نشان داده ایم که نوارگرافن رشد یافته با روش رونشست در سیلیکون کارباید، خواص انتقالی دارد که متجاوز از پیش بینی های تئوری برای گرافن ایده آل است.»

مشابه با اندازه گیری مقاومت سیم های ماکروسکوپی، مقاومت GNR هم با انجام اندازه گیری های الکتریکی استاندارد بر روی آنها، و در مقیاس نانو مورد آزمایش قرار گرفت. GNR معمولا توسط لایه برداری گرافن تولید می شود. اما این روش، GNR نسبتا گسترده ای را با لبه های نامنظم و ناقص تولید می کند که موجب مقاومت الکتریکی بالا و عملکرد ضعیف می شود.
بنا بر توضیحات هییر: « بزرگ ترین شگفتی آنست که نوارگرافن همانند یک موجبر تک حالت رفتار می کند. به برخی دلایل، دو حالت مورد انتظار تئوری وجود نداشته و تنها یک حالت کوانتومی را شامل می شود.»

در گرافن لایه برداری شده، معمولا الکترون ها با نقص ها و ارتعاشات شبکه پراکنده می شوند، اما، به نظر می رسد که نانونوار گرافن رشد یافته با روش رونشست، از پراکندگی الکترون ها جلوگیری می کند. هییر می گوید: «مکانیسم آن، محافظت است، هرچند، شناخته شده نیست.» این گروه، انتقال را در دمای اتاق مشاهده کرده، که نشانه ای برای برنامه های کاربردی است.