متن كامل خبر
طراحی نسل بعدی رایانه‌ها امکان ذخیره‌ی یک بیت اطلاعات در یک اتم

تاريخ خبر : 30/3/1386امتياز بده :ارسال به دوستتعدادمشاهده : 1028

- علاوه بر مشکل «دانسیته‌ی اتصالات درونی» و «انتشار گرما» (که برخی محققان امیدوارند با استفاده از نانولوله‌های کربنی حل شوند) مشکلی بنیادی از نظر مکانیک کوانتومی وجود دارد که هنگام رسیدن تراشه‌ها به‌اندازه‌ی حدود 4 نانومتر خود را نشان خواهد داد.

طراحی نسل بعدی رایانه‌ها

امکان ذخیره‌ی یک بیت اطلاعات در یک اتم




علاوه بر مشکل «دانسیته‌ی اتصالات درونی» و «انتشار گرما» (که برخی محققان امیدوارند با استفاده از نانولوله‌های کربنی حل شوند) مشکلی بنیادی از نظر مکانیک کوانتومی وجود دارد که هنگام رسیدن تراشه‌ها به‌اندازه‌ی حدود 4 نانومتر خود را نشان خواهد داد.

 

صنعت نیمه‌هادی به‌سمت پردازنده‌های 32 نانومتری پیش می‌رود که انتظار می‌رود تا سال 2009 تجاری شوند.

به‌گزارش خبرگزاری دانشجویان ایران (ایسنا) به‌نقل از ستاد ویژه‌ی توسعه‌ی فناوری نانو، احتمالاً روزی که ترانزیستورها به حد نهایی کوچک شدن در مقیاس اتمی رسیده و فناوری‌های ساخت امروزی به پایان خود برسند، نزدیک است.

علاوه بر مشکل «دانسیته‌ی اتصالات درونی» و «انتشار گرما» (که برخی محققان امیدوارند با استفاده از نانولوله‌های کربنی حل شوند) مشکلی بنیادی از نظر مکانیک کوانتومی وجود دارد که هنگام رسیدن تراشه‌ها به‌اندازه‌ی حدود 4 نانومتر خود را نشان خواهد داد.




این اندازه مقیاسی است که در آن، اثرات کوانتومی بر چگونگی رفتار جریان غالب خواهد شد.

مهندسان رایانه از این پدیده به‌عنوان یک پدیده‌ی ناخوشایند یاد می‌کنند؛ چرا که ممکن است این اثرات باعث شوند الکترون‌ها به محلی که دلخواه نیست، نشت کنند.

به‌طور خاص، تونل‌زنی الکترون‌ها و حفرات - که با نام «تونل‌زنی کوانتومی» خوانده می‌شوند - بسیار بیش‌تر از آن خواهد بود که یک ترانزیستور بتواند عملکرد قابل‌اطمینانی داشته باشد.

بنابر این گزارش، نتیجه این خواهد بود که دو حالت مختلف کلید از هم غیرقابل تشخیص خواهند شد. با این حال، اثرات کوانتومی می‌توانند مفید نیز باشند.




یک گروه از محققان نشان داده‌اند که یک بیت از اطلاعات را می‌توان در یک اتم ذخیره کرد و سپس از آن بازیابی کرد. با این حال انتظار نمی‌رود که این امر به‌زودی در رایانه‌ها به‌کار گرفته شود.

































     منبع خبر : ايسنا

بازگشت