با این حال برای الگودهی اتوماتیک نانوذرات، فناوریهای موجود یا کند بوده (همانند: لیتوگرافی قلم غوطهور) و یا به الگوهای پیشساخته روی سطوح مورد نظر نیاز دارند (همانند: جایدهی الکترونیکی). محققان قبلاً با استفاده از فرایندی مشابه فرایند چاپ، نیاز به رشد همبافته یا اتصال ویفرها را جهت یکپارچهسازی انواع مختلفی از مواد مختلف نیمههادی غیرمشابه روی سطوح بهمنظور تولید قطعات الکترونیکی سهبعدی از بین بردهاند. دکتر «هیکو ولف» - که یکی از محققان گروه خودآرایی، نانوالگودهی و لیتوگرافی نرم در آزمایشگاه تحقیقاتی «آی. بی. ام.» (IBM) نزدیک زوریخ است - همراه با همکاران دیگرش در این آزمایشگاه و محققان دیگری از «ای. تی. اچ.» (ETH) سوئیس یک فرایند مؤثر برای تولید خطوط، آرایهها و آرایشهای پیچیدهای از نانوذرات با دقت بالا و تفکیکپذیری در حد یک نانوذره توسعه دادهاند که در آن هر نانوذره عمکرد خود را حفظ میکند. «ولف» میگوید: «روش چاپی ما با ذرههای مختلفی از جمله: فلزات، پلیمرها، نیمههادیها و اکسیدها سازگار است. با این روش میتوان نانوذرههایی را - که بهصورت تودهای سنتز شدهاند - در همان حالت کلوییدی آنها و حتی زمانی که با مولکولهای عاملی تغییر یافتهاند - مدیریت کرد. بهلطف تفکیکپذیری بالای این روش، میتوان ابعاد ضروری ابزارهای نانومقیاس را ایجاد کرد». در این روش چاپی جدید، محققان «ای. تی. اچ.» و «آی. بی. ام.» (ETH/ IBM) سه جنبهی کلید فرایند را کنترل کردهاند:
| - آرایش دقیق نانوبلورها
درک فرایند آرایش و طراحی مناسب هندسهی صفحهی چاپ | | - کنترل انتقال ذرات بهسوی محلهای آرایش روی صفحه
فراهم آوردن مقدار مورد نیاز نانوذرات کافی نیست و غلظت نانوذرات باید بهصورت موضعی نیز بالا باشد تا بهرهی بالایی بهدست آید | | - تنظیم چسبندگی ذرات برای انتقال مؤثر
یک لایهی نازک پلیمری، نانوبلورها را در محل مورد نظر تثبیت میکند. |
|