متن كامل خبر
یک دانشمند ایرانی موفق به ساخت سریع‌ترین «ترانزیستور» جهان شد

تاريخ خبر : 10/8/1384امتياز بده :ارسال به دوستتعدادمشاهده : 825

یک عضو هیات علمی گروه الکترونیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی موفق به ساخت سریع‌ترین ترانزیستور جهان شد که می‌تواند تحولی مهم در ابررایانه‌ها و سایر تجهیزات پیشرفته الکترونیکی با کاربردهای ویژه ایجاد کند.

مقاله مربوط به طرح ابتکاری دکتر فرشید رییسی که در مجله معتبر بین‌المللی Applied Physics Letters آمریکا نیز ارائه شده، بازتاب وسیعی در نشریات و رسانه‌های علمی فیزیک جهان داشته است.

دکتر رییسی در طراحی این ترانزیستور به جای «الکترون» از «سالیتان» (بسته‌های امواج الکترومغناطیسی) که با سرعت نور حرکت می‌کند، استفاده شده است.

عضو هیات علمی گروه الکترونیک دانشگاه دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی در خصوص مزیت این طرح نسبت به ترانزیستورهای معمولی گفت: ترانزیستور «سالیتانی» (SOLITON TRANSISTOR ) می‌تواند صدها برابر سریع‌تر از ترانزیستورهای معمولی که توسط نیمه هادی‌ها ساخته می‌شوند، عمل کند.

دکتر رییسی افزود: این ترانزیستور در ابعاد 8 دهم میلیمتر ساخته شده و سرعتی حدود 8 گیگا هرتز دارد که در مقایسه با ترانزیستورهای معمولی (حدود 5/2 گیگا هرتز) سه برابر بیشتر است و هر چه ابعاد آن کوچکتر باشد ، سرعت ترانزیستور افزایش می‌یابد.

دکتر رییسی با اشاره به این که قطعات مورد نیاز این ترانزیستور از خارج کشور تهیه می‌شود، اظهار کرد: تولید این ترانزیستور به آزمایشگاه‌های ساخت قطعات نیمه هادی نیازمند است که متاسفانه در کشور وجود ندارد، ‌در حالی که هزینه تهیه یک آزمایشگاه ساخت ترانزیستور «سالیتانی» نسبت به هزینه آزمایشگاه‌های ساخت ترانزیستورهای کنونی بسیار کمتر است.

وی در گفت‌و‌گو با ایسنا افزود: در صورت تجهیز آزمایشگاه ساخت قطعات نیمه هادی در کشور، با تهیه ترانزیستورهای سالیتانی در ابعاد صد نانومتر، می‌توان سرعت فرکانسی آن را به حدود 200 تا 300 گیگا هرتز رساند تا در مواردی نظیر ابررایانه‌ها و فعالیت‌های دفاعی که سرعت ترانزیستور اهمیت دارد، به کار رود.

این پژوهشگر در پایان خاطر نشان کرد: ترانزیستور «سالیتانی» علاوه بر سرعت سه برابر بیشتر نمونه اولیه آن نسبت به سریع‌ترین ترانزیستور‌های موجود در بازار، از لحاظ هزینه تولید از ترانزیستورهای نیمه هادی با کاربری در CPU‌ها بسیار ارزانتر است.

گفتنی است، دکتر رییسی تحصیلات کارشناسی خود را در رشته مهندسی الکترونیک در دانشگاه ایالتی «لویی‌زیانا» و تحصیلات کارشناسی ارشد و دکتری خود را در دانشگاه ویسکانسین - مدیسون آمریکا به پایان برده، علاوه بر این طرح، تحقیقات و مقالات علمی متعددی داشته که در معتبرترین نشریات و کنفرانس‌های بین‌المللی فیزیک ارائه شده است.


     منبع خبر : ايسنا

بازگشت