به‌گزارش ستاد ویژه‌ی توسعه‌ی فناوری‌های نانو به‌نقل از «نانوتک وب»، اخیراً «لیدونگ‌لی» (Lidong Li) از دانشگاه «علم و فناوری پکن» به‌همراه همکارانش، نانوکلیدی ساخته‌ است که در ساختمان آن از یک عایق آلی (پلی‌استایرن یا پلی‌متیل متاکریلات) استفاده می‌شود که در حد فاصل بین «اکسیدِ ایندوم قلع» (Indium Tin Oxide) و «طلا» قرار گرفته است.

نسبت کلیدزنی روشن/ خاموشِ این ابزار حتی در «چگالی توانِ پایین» (۵-۱۰ وات بر سانتی‌متر مربع، زمانی که تحت تابش «پرتو فوق‌بنفش» (UV) قرار می‌گیرد) ۱۰۶ است؛ درحالی که این مقدار برای کلیدهای نوری پیشین - که نیاز به چگالی توانی بیش از ۳-۱۰ وات بر سانتی‌متر مربع دارند – کم‌تر از ۱۰۳ است. این مزیت برای کاربردهای محاسبه‌ای و پردازش داده‌ی نوری بسیار مهم می‌باشد.

محققان مذکور کلید نوری خود را از طریق «پوشش‌دهی چرخشی» لایه‌ی آلی ذکر شده در بین دو لایه‌ی دیگر تولید کردند. سپس ابزار مزبور را به‌منظور شکل‌گیری رشته‌های فلزی در لایه‌ی عایقِ آلی تحت میدان الکتریکی، «فعال‌سازی» کردند.

رشته‌های مذکور مانند یک ماده‌ی حساس به «پرتو فوق‌بنفش» (UV) عمل می‌کنند و به این شکل، تحت تابش «پرتو فوق‌بنفش» (UV)، جریان از ابزار عبور ننموده (حالت خاموش) و با حذف تابش، جریان می‌تواند از آن عبور کند (حالت روشن).

«لی» در این‌باره می‌گوید: «به‌دلیل کلیدزنی دودویی این نانوکلیدهای نوری می‌توان از آن‌ها در «مدارهای منطقی کنترل شونده با نور» بهره گرفت. علاوه بر این از آن‌جایی که «ترانزیستورهای اثر - میدانی آلی» (OFETs) و «خازن‌های آلی» نیز در ساختار خود از لایه‌های الکترودِ فلزی و هم‌چنین لایه‌های عایق آلی استفاده می‌کنند می‌توان این راهکار را برای توسعه‌ی قابلیت کلیدزنی نوری «ترانزیستورهای اثر - میدانی آلی» (OFETs) و یا برای ساخت «حافظه‌های دارای کنترلِ دوگانه» (نوری و الکتریکی) به‌کار گرفت».

این در حالی است که با توجه به ظهور مشکلات فزاینده در «میکروالکترونیک سیلیکونی»، امید می‌رود تا ابزارهای الکترونیکی نانومقیاس جایگزینی مناسب برای این فناوری باشند. البته هنوز اکثر «کلیدهای نانومقیاس» با استفاده از یک «میدان الکتریکی» کلید‌زنی می‌شوند اما با تقاضای موجود در زمینه‌ی «چگالی‌ ذخیره‌ی اطلاعاتِ بالا» و هم‌چنین «پردازش سریع داده»، ابزارهای نانومقیاسِ آینده باید در کلید‌زنی خود از «نور» بهره بگیرند.