تیمی از پژوهشگران بین رشته‌ای مؤسسه رنسلر روشی جدید برای افزایش انتقال گرما بین دو ماده را استفاده کردند. نتایج کار این تیم در ژورنال نیچر مواد به چاپ رسید و در پیشرفتهایی که بسیار مورد استفاده تراشه های کامپیوترهاست و همینطور دیودهای LED و غیره، قرار می‌گیرد. با ساندویچ کردن لایه‌ی فوق باریک نانوچسبی بین مس و سیلیکا، این تیم رسانش ۴ برابری را در مقطع بین دو ماده به نمایش گذاشتند. کمتر از یک نانومتر یا یک میلیاردم متر ضخامت پیوندهای قوی با مس (یک فلز) و سیلیکا (یک سرامیک) که روی هم ضخامتی هم ندارند سر جمع، برقرار می‌کنند.

این نوع قفل کردن نانومولکول چسبندگی را بیشتر می‌کند، و همینطور ارتعاشهای اتم‌ها را بین دو ماده ممکن می‌سازند، که به آنها فونون می‌نامیم. فراتر از مس و سیلیکا، این تیم رهیافتشان را با دیگر فلزات آزمایش کردند. انتقال گرما بخش بحرانی فناوری های مختلف  است. تراشه‌ها کوچکتر و پیچیده تر می‌‍شوند و بازدهی و توانایی ابزارهای نیم رسانا را هم بالا می‌برند. با ابزارهای فوتوالکتریک، مثلاً انتقال گرمای بهتر منجر به تبدیل مؤثرتر نور به انرژی الکتریکی می‌شود.

Peter J. O’Brien, Sergei Shenogin, Jianxiun Liu, Philippe K. Chow, Danielle Laurencin, P. Hubert Mutin, Masashi Yamaguchi, Pawel Keblinski, Ganpati Ramanath. Bonding-induced thermal conductance enhancement at inorganic heterointerfaces using nanomolecular monolayers. Nature Materials, 2012; DOI:10.1038/nmat3465