پیشرفت‌های اخیر در ساختارهای پلاسمونیک انواع جدیدی از ابزارهای الکترونیکی-نوری در مقیاس نانومتر را وارد عرصه‌ی پژوهشی حسگرهای نوری تفکیک بالا کرده است. ولی تا الان فقدان ابزارهای اندازه گیری در مقیاس‌های نانومتر بخصوص در بررسی ساختارهای پلاسمونیک که برای تأیید مدل‌های نظری نیاز به ابزارهایی با تفکیک بالا دارند، وجود داشته.

ویلیام کینگ:«برای اولین بار ما جذب فروسرخ نانومتری را در میکروذرات پلاسمونیک نیم رسانا با استفاده از تکنیک میکروسکوپ نیروی اتمی با طیف سنج فروسرخ ثبت کردیم. این ابزار ترکیبی ما را قادر می‌سازد تا مستقیماً رفتار پلاسمونیک را با آنتن‌های فروسرخ میکروذرات مشاهده کنیم.» در مقاله‌ای که این تیم از دانشگاه ایلینویز در Applied Physics Letters چاپ کرده، اندازه‌گیری‌های میدان نزدیک و میدان دور باهم مقایسه شده‌اند.

شبیه سازی‌های الکترومغناطیس برای تأیید حضور تشدید پلاسمونیک موضعی مورد استفاده قرار گرفت. در این مقاله توزیغ فضایی جذب با ساختارهای منفرد و تغییر آرایه‌های پلاسمونیک به‌صورت نموداری آمده است. میدان نزدیک به این معناست که می‌توانیم گستره‌ی پارامترهای طراحی شده‌ی مواد پلاسمونیکی را بررسی کنیم. حالا می‌توانیم ساختارهای منفرد آنها را بررسی کنیم که برای مواد مختلط نوری استفاده می‌شود.

Jonathan R. Felts, Stephanie Law, Christopher M. Roberts, Viktor Podolskiy, Daniel M. Wasserman, William P. King.Near-field infrared absorption of plasmonic semiconductor microparticles studied using atomic force microscope infrared spectroscopy. Applied Physics Letters, 2013; 102 (15): 152110 DOI: 10.1063/1.4802211