یک تیم تحقیقاتی بین‌المللی برای اولین بار توانستند یک اتم مغناطیسی آهن را در مولکولی متشکل از 51 اتم جای دهند و  سپس خصوصیت آسپین پذیری الکترونیک و حافظه‌پذیری الکتریکی دو جهتی را به این مولکول بدهند.
خوب است بدانید یک بیت اطلاعات دیجیتالی که در یک حافظه مغناطیسی معمولی ذخیره می‌شود شامل بیشتر از 3 میلیون اتم مغناطیسی می‌شود. محققان انستیتو تکنولوژی Karlsruhe موفق شده‌اند که اندازه یک بیت حافظه را به کمتر از یک  نانومتر (اندازه یک ملکول ارگانیک) برسانند. با هر پالس جریان الکترونیکی، مولکول‌ ارگانیک می‌تواند بین وضعیت مغناطیسی مثبت و منفی تغییر حالت ‌دهد. این همبستگی بدیع مولکولی که در مجله Nature Communication به چاپ رسید،  با برقراری جریان الکتریکی شارژ مغناطیسی اتم  را تغییر می‌دهد و اینگونه مولکول‌ها باردار می‌شوند و با تعیین جهت یا اسپین مغناطیسی آن، اطلاعات در این حافظه  نانومتری ذخیره می‌شوند.
چندی پیش IBM نیز طرحی را ارائه کرد که طی آن توانسته‌بودند یک بیت از اطلاعات را تنها در ۱۲ اتم ذخیره کنند.  بخش تحقیقات ای بی ام در این مرحله توانسته حافظه های آزمایشی جدیدی تولید کند که نسبت به حافظه های اس اس دی و هارد دیسک فعلی صد برابر قدرت ذخیره سازی بیشتری دارد. این محققان می گوید دستاورد جدیدشان قانون مور را به چالش می کشد. به خاطر اینکه آنها به یک جهش بزرگ در افزایش توانایی ذخیره سازی اطلاعات دست پیدا کرده اند .
این دستاوردهای جدید در آینده اجازه خواهد داد شرکت های سخت افزاری قطعاتی با اندازه بسیار کوچک و ظرفیتی فوق العاده  تولید کنند.

با توجه به این طرح و کشفیات این موسسه تحقیقاتی به زودی شاهد حافظه‌های 50پتابایتی (به جای مگابایتی و ترابایتی) خواهیم بود.

KIT